DIF065SIC030是 Diotec Semiconductor 推出的碳化硅（SiC）MOSFET 器件，屬于其 SiC 功率半導體產(chǎn)品線。DIF065SIC030采用 4H-SiC 晶型襯底，具備寬禁帶（約 3.2eV）、高臨界擊穿電場（約 2.8 MV/cm）及高熱導率等優(yōu)勢，適合高溫、高壓、高頻應用?。

技術參數(shù)

封裝 / 箱體：TO-247-4

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：105 A

Rds On-漏源導通電阻：30 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 4 V, + 18 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：145 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

通道模式：Enhancement

商標名：DIF065SIC030

商標：Diotec Semiconductor

配置：Single

正向跨導 - 最小值：38 S

產(chǎn)品：MOSFETs

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

晶體管類型：1 N-Channel

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