AIMDQ75R016M2H是（Infineon）推出的第二代碳化硅MOSFET，具有改進(jìn)的開關(guān)性能、更低的損耗和增強(qiáng)的熱管理。與第 1 代產(chǎn)品相比，開關(guān)速度提高了 25%，品質(zhì)因數(shù)提高了 35%，為汽車應(yīng)用提供了更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)。

關(guān)鍵參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：840 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：103A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 55.8A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 12.3mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：74 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2577 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：394W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HDSOP-22

技術(shù)優(yōu)勢

?開關(guān)速度?：比第一代提升25%

?熱管理?：采用 Q-DPAK 封裝技術(shù) ，優(yōu)化散熱性能

?可靠性?：100%雪崩測試驗證

應(yīng)用場景

AIMDQ75R016M2H適用于新能源汽車、工業(yè)電源等高電壓、高效率場景，可提升系統(tǒng)整體能效并降低組件溫度。

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