LSIC1MO120G0025器件是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。LSIC1MO120G0025適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用場(chǎng)景，例如電源管理、電機(jī)控制、逆變器等工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中?。

技術(shù)參數(shù)

封裝 / 箱體：TO-247-4

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：32 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 5 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：265 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：500 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)：IXYS

配置：Single

下降時(shí)間：10 ns

封裝：Tube

產(chǎn)品類(lèi)型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：10 ns

系列：LSIC1MO120G0xxx

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：31 ns

典型接通延遲時(shí)間：17 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開(kāi)發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。