MSCSM120XM50CTYZBNMG 設(shè)備是一個(gè)三相橋、制動(dòng)、軟啟動(dòng)和電磁功率模塊。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：6 N-溝道（3 相橋）

FET 功能：碳化硅（SiC）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：49A（Tc），80A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：50 毫歐 @ 40A，20V，31 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 2mA，2.8V @ 3mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：137nC @ 20V，232nC @ 20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1990pF @ 1000V，3020pF @ 1000V

功率 - 最大值：196W（Tc），315W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

應(yīng)用

●用于電動(dòng)機(jī)械致動(dòng)器 (EMA) 和電動(dòng)靜電致動(dòng)器 (EHA) 的混合動(dòng)力裝置 (HPD)

●高可靠性功率核心模塊 (PCM)

●用于電力驅(qū)動(dòng)電子裝置 (PDE) 的模塊化功率模塊

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