MSCSM120HRM08NG 器件是一款 T 型碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊，其相腳電壓為 1200V，電流為 317A，雙共源電壓為 700V，電流為 227A、317A 和雙共源 700V、227A。采用碳化硅功率 MOSFET，低 RDS（導通），高溫性能，開爾文源，易于驅(qū)動。

產(chǎn)品屬性

技術：碳化硅（SiC）

配置：4 個 N 通道（三級反相器）

FET 功能：碳化硅（SiC）

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV），700V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：317A（Tc），227A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.8 毫歐 @ 160A，20V，9.5 毫歐 @ 80A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 12mA，2.4V @ 8mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：928nC @ 20V，430nC @ 20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：12100pF @ 1000V，9000pF @ 700V

功率 - 最大值：1.253kW（Tc），613W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

應用

●太陽能逆變器

●三電平逆變器

●不間斷電源

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