AON7934 一款雙N溝道MOSFET陣列，采用緊湊型封裝，具有低導通電阻和邏輯電平門極驅(qū)動特性，非常適合需要高效率電源管理和功率轉(zhuǎn)換的應用。

AON7934 核心規(guī)格參數(shù)：

核心功能：雙N溝道MOSFET陣列 (半橋配置)

安裝類型：表面貼裝 

封裝形式：8-DFN-EP (3x3) 裸露焊盤 (也有稱作WDFN-8或QFN8(3X3))

漏源電壓 (Vdss)：30V

連續(xù)漏極電流 (Id)：13A, 15A (不同通道，@25°C) 或 16A

導通電阻 (Rds(on))：10.2mΩ @ 13A, 10V

柵極閾值電壓 (Vgs(th))：2.2V @ 250μA

柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V

輸入電容 (Ciss)：485pF @ 15V

最大功耗 (Pd)：2.5W

工作結(jié)溫 (Tj)：-55°C ~ 150°C

FET 特性：邏輯電平門極 (Logic Level Gate)

AON7934 特性

低導通電阻：僅為 10.2mΩ，有助于減少功率損耗并提高整體效率。

快速開關(guān)能力：柵極電荷僅為 11nC，確?？焖匍_關(guān)。

高電流承載能力：在 25°C 時，連續(xù)漏極電流可達 13A 至 15A。

小型封裝：采用 DFN-8（3x3mm）封裝，適合空間受限的應用。

環(huán)保合規(guī)：無鉛（Pb-Free）和 RoHS 合規(guī)。

AON7934 的這些特性使其在電源管理、電機控制和消費電子等多個領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

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