商品名稱：M1F45M12W2-1LA
數(shù)據(jù)手冊：
M1F45M12W2-1LA.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
這款 M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT-32 電源模塊采用集成 NTC 的四組拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，專為混合動力和電動汽車中 OBC 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器級量身定制。該電源模塊采用了意法半導(dǎo)體的四個第三代碳化硅功率 MOSFET。由于采用了公認(rèn)的芯片技術(shù)，ACEPACK DMT-32 可確保在能量損耗和高開關(guān)頻率工作模式之間實現(xiàn)最佳折衷。通過該模塊，您可以創(chuàng)建具有極高功率密度和高效率要求的復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。氮化鋁絕緣基板實現(xiàn)了最佳的熱性能。此外，由于采用了特殊的設(shè)計，模塑上的凹槽確保了較高的爬電距離。
所有功能
符合 AQG 324 標(biāo)準(zhǔn)
1200 V 阻塞電壓
47.5 mΩ 的典型 RDS(on)
最高工作結(jié)溫 TJ = 175 °C
基于 DBC Cu-AlN-Cu 基底面，可提高熱性能
絕緣電壓 3 kV
集成 NTC 溫度傳感器
應(yīng)用
? 板載充電器 (OBC)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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STM32H7A3VGH6
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VN7050ASTR
VN7050ASTR 采用意法半導(dǎo)體專有的VIPower M0-7技術(shù)制造，為單通道高側(cè)驅(qū)動器，于SO-8封裝中。
STD10NM60N
STD10NM60N器件采用第二代MDmesh技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。
L6599ADTR
L6599ADTR是前代L6599的改進版本，專為串聯(lián)諧振半橋拓?fù)湓O(shè)計的雙端控制器。
L6205D013TR
L6205D013TR是一款專為電機控制應(yīng)用設(shè)計的DMOS雙全橋，采用MultiPower-BCD工藝實現(xiàn)，將隔離式DMOS功率晶體管與CMOS及雙極性電路集成于同一芯片。
LIS3DHTR
LIS3DHTR是一款超低功耗高性能三軸線性加速度計，屬于“nano”系列產(chǎn)品，配備數(shù)字I2C/SPI串行接口標(biāo)準(zhǔn)輸出。電話咨詢：86-755-83294757
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