商品名稱：BSM180D12P3C007
數(shù)據(jù)手冊：
BSM180D12P3C007.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BSM180D12P3C007 羅姆公司生產(chǎn)的SiC-UMOSFET的半橋構(gòu)成SiC MOSFET模塊。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)： 碳化硅（SiC）
配置： 2 N-通道（雙）
漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 180A（Tc）
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 50mA
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 900pF @ 10V
功率 - 最大值： 880W
工作溫度： 175°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼：模塊
供應(yīng)商器件封裝： 模塊
應(yīng)用
? 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
? 變頻器、轉(zhuǎn)換器
? 光伏、風(fēng)力發(fā)電
? 感應(yīng)加熱設(shè)備
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一，總部所在地設(shè)在日本京都市，ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGS80TSX2HRC11
RGS80TSX2HRC11：10us 短路耐受能力，1200V，40A，TO-247N封裝，場截止溝槽型IGBT晶體管，適用于汽車應(yīng)用。型號：RGS80TSX2HRC11封裝：TO-247N-3類型：IGBT晶體管應(yīng)用：汽車用加熱器 RGS80TSX2HRC11 規(guī)格參數(shù)：產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si …
RGS30TSX2DHRC11
RGS30TSX2DHRC11：1200V、15A、溝槽型場截止 IGBT晶體管，TO-247N-3RGS30TSX2DHRC11 是羅姆推出的一款采用先進(jìn) 溝槽型場截止技術(shù) 的 汽車級 (AEC-Q101) IGBT 晶體管，具有 1200V 阻斷電壓和 30A 標(biāo)稱電流（@25C）。其核心優(yōu)勢在于 低導(dǎo)通損耗 (VCE(sat)) 和 優(yōu)化的開關(guān)性…
RGS00TS65EHRYC13
RGS00TS65EHRYC13 是一款 650V/50A 超高速開關(guān)型IGBT，屬于ROHM Field Stop Trench IGBT 系列，專為高效能電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。
RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13場截止溝道IGBT具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓、低開關(guān)損耗和短路耐受時(shí)間（5μs）的特點(diǎn)。 該IGBT可確保在高壓力條件下可靠運(yùn)行。內(nèi)置的快速軟恢復(fù)FRD提高了效率，而無鉛電鍍則確保符合RoHS規(guī)范。技術(shù)規(guī)格RGE60TS65DGC13的主要規(guī)格包括：IGBT 類型：溝槽型場…
SCT4062KWATL
SCT4062KWATL 是 1200 V 24A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4062KWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4062KWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機(jī)驅(qū)動(dòng)
SCT4045DWATL
SCT4045DWATL 是 750 V 31A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4045DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機(jī)驅(qū)動(dòng)電話咨詢：86-755-83294757
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