Wolfspeed CAB650M17HM3高性能半橋模塊是經(jīng)過開關(guān)優(yōu)化的全碳化硅低電感半橋模塊，尺寸小巧 (110mm x 65mm x 12.2mm)。HM3元件采用經(jīng)過開關(guān)優(yōu)化的第三代碳化硅MOSFET技術(shù)。兼容62mm的輕質(zhì)ALSiC基板支持系統(tǒng)改造。其他特性包括+175°C工作結(jié)溫和高可靠性氮化硅絕緣體。HM3高性能半橋模塊非常適合用于鐵路/牽引、太陽能、電動(dòng)汽車充電器以及工業(yè)自動(dòng)化/測(cè)試應(yīng)用。

技術(shù)特點(diǎn)

? 超低損耗

? 高頻運(yùn)行

? 來自 MOSFET 的零關(guān)斷尾電流

? 常開、故障安全器件操作

系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

? 實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)

? 低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率 和 SiC 的傳導(dǎo)損耗

? 降低熱要求和系統(tǒng)成本

CAB650M17HM3的產(chǎn)品屬性

技術(shù)： 碳化硅（SiC）  

配置： 2 N-通道（雙）  

FET 功能： -  

漏源電壓（Vdss）： 1700V（1.7kV）  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 916A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.86 毫歐 @ 650A，15V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 3.6V @ 305mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 2988nC @ 15V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 97300pF @ 1200V  

功率 - 最大值： -  

工作溫度： -40°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 底座安裝  

封裝/外殼： 模塊  

供應(yīng)商器件封裝： 模塊

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。