商品名稱：CBB021M12FM3T
數(shù)據(jù)手冊：
CBB021M12FM3T.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
CBB021M12FM3T碳化硅電源模塊有半橋、全橋和六組（三相）配置，均可選擇預涂HoneywellTM導熱界面材料 (TIM)。這些模塊適合用于中等功率（10kW至100+kW）的設計，占位面積小，支持開發(fā)更緊湊、可擴展的解決方案。這些封裝是現(xiàn)有硅基模塊的引腳兼容替代品，方便隨時進行系統(tǒng)更新。與標準熱潤滑脂相比，選擇帶有預涂TIM的WolfPACK模塊可將結溫 (Tj) 降低高達40°C或將電流增加高達60%。
產品屬性
技術：碳化硅（SiC）
配置：4 N 溝道（全橋）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：105A（Tj）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 100A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 35mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：324nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：10300pF @ 800V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
應用
● 直流-直流轉換器
● 電動汽車充電器
● 高效轉換器/逆變器
● 可再生能源
● 智能電網/并網分布式發(fā)電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
ECB4R3M12YM3
ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模塊 ，屬于YM系列六單元模塊。該模塊采用行業(yè)標準封裝技術，優(yōu)化電源端子布局，可降低電感并減少過沖電壓，同時具備低開關損耗特性。核心參數(shù)技術：碳化硅（SiC）配置：6 N 溝道（三相逆變器）FET 功能：-漏源電壓（…
ECB2R8M12YM3
ECB2R8M12YM3是 Wolfspeed 公司推出的碳化硅功率模塊，屬于YM系列六包三相模塊，額定電壓為1200V，額定電流460A，導通電阻2.8mΩ，采用 Gen 3 工藝，最高結溫可達175C。該模塊尺寸為154.5126.532mm，適用于汽車電子領域。主要規(guī)格產品：ECB2R8M12YM3技術：碳化硅（SiC）配…
ECB2R1M12YM3
ECB2R1M12YM3是 Wolfspeed 推出的 碳化硅功率模塊 ，屬于六單元模塊 （YM系列），適用于汽車電子領域。以下是其核心參數(shù)：技術：碳化硅（SiC）配置：6 N 溝道（三相逆變器）FET 功能：-漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：700A不同 Id、Vgs 時…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻塞電壓，低導通電阻高速開關，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術優(yōu)化封裝，具有獨立的驅動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關損耗，最大限度地減少柵極振鈴…電話咨詢：86-755-83294757
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