BSM120D12P2C005R OHM Semiconductor SiC功率模塊是在一個(gè)封裝中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半橋SiC模塊。這類(lèi)模塊能在減少開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)高頻運(yùn)行。與現(xiàn)有解決方案相比，此優(yōu)化設(shè)計(jì)減少了雜散電感。另外，為了防止發(fā)生過(guò)熱情況，還提供了集成其他熱敏電阻的E型模塊。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：2 個(gè) N 通道（半橋）

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tc）

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 22mA

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：14000pF @ 10V

功率 - 最大值：780W

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

封裝/外殼：模塊

供應(yīng)商器件封裝：模塊

應(yīng)用 

● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

● 變頻器、轉(zhuǎn)換器

● 光伏、風(fēng)力發(fā)電。

● 感應(yīng)加熱設(shè)備。

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。