商品名稱：CAS350M12BM3
數(shù)據(jù)手冊：
CAS350M12BM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
CAS350M12BM3 Wolfspeed 62mm全碳化硅（SiC）半橋模塊將碳化硅的系統(tǒng)優(yōu)勢與穩(wěn)健的低電感布局相結(jié)合。得益于SiC的低開關(guān)和導通損耗，半橋模塊提高了系統(tǒng)效率。這些電源模塊采用低電感內(nèi)部布局，可最大限度地利用電壓，并最大限度地減少過沖和振鈴。該半橋模塊配有用于導熱的銅基板，其氮化鋁和氮化硅絕緣體可最大限度地降低熱阻。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：碳化硅（SiC）
配置：2 N 溝道（雙）共源
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：417A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5.2 毫歐 @ 350A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 85mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：844nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：25700pF @ 800V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
應用
● 感應加熱
● 電機驅(qū)動
● 可再生能源
● 鐵路輔助和牽引
● 電動汽車快速充電
● UPS 和 SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
ECB4R3M12YM3
ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模塊 ，屬于YM系列六單元模塊。該模塊采用行業(yè)標準封裝技術(shù)，優(yōu)化電源端子布局，可降低電感并減少過沖電壓，同時具備低開關(guān)損耗特性。核心參數(shù)技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：6 N 溝道（三相逆變器）FET 功能：-漏源電壓（…
ECB2R8M12YM3
ECB2R8M12YM3是 Wolfspeed 公司推出的碳化硅功率模塊，屬于YM系列六包三相模塊，額定電壓為1200V，額定電流460A，導通電阻2.8mΩ，采用 Gen 3 工藝，最高結(jié)溫可達175C。該模塊尺寸為154.5126.532mm，適用于汽車電子領(lǐng)域。主要規(guī)格產(chǎn)品：ECB2R8M12YM3技術(shù)：碳化硅（SiC）配…
ECB2R1M12YM3
ECB2R1M12YM3是 Wolfspeed 推出的 碳化硅功率模塊 ，屬于六單元模塊 （YM系列），適用于汽車電子領(lǐng)域。以下是其核心參數(shù)：技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：6 N 溝道（三相逆變器）FET 功能：-漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：700A不同 Id、Vgs 時…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓，低導通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓，低導通電阻高速開關(guān)，低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗，最大限度地減少柵極振鈴…電話咨詢：86-755-83294757
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