UCC57102WQDRQ1是一款單通道高性能低側(cè) IGBT/SiC 柵極驅(qū)動器，適用于大功率汽車應(yīng)用，例如 PTC 加熱器、牽引逆變器有源放電電路和其他輔助子系統(tǒng)。它提供多種保護功能，包括欠壓鎖定 (UVLO)、去飽和保護 (DESAT)、故障報告和熱關(guān)斷保護。

UCC57102WQDRQ1 產(chǎn)品屬性：

驅(qū)動配置：低端

通道類型：單路

驅(qū)動器數(shù)：1

柵極類型：MOSFET（N 溝道）

電壓 - 供電：8.5V ~ 26V

邏輯電壓 - VIL，VIH：1.6V，1.8V

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：3A，3A

輸入類型：非反相

上升/下降時間（典型值）：8ns，14ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

UCC57102WQDRQ1產(chǎn)品特性：

典型 3A 灌電流，3A 拉電流輸出

具有可編程延遲的 DESAT 保護

發(fā)生故障時的軟關(guān)斷

絕對最大 VDD 電壓：30V

輸入和使能引腳可承受高達 –5V 的電壓

可實現(xiàn)偏置靈活性的嚴(yán)格 UVLO 閾值

傳播延遲典型值為 26ns

具有熱關(guān)斷功能的自保護驅(qū)動器

寬偏置電壓范圍

采用 5mm x 4mm SOIC-8 封裝

工作結(jié)溫范圍：–40°C 至 150°C

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