商品名稱:低側(cè)驅(qū)動(dòng)器
品牌:ST
年份:25+
封裝:SOIC-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
VNL5030S5TR:25A,OMNIFET III 全保護(hù)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,SOIC-8
型號(hào):VNL5030S5TR
封裝:SOIC-8
類(lèi)型:OMNIFET III 全保護(hù)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器
概述:
VNL5030S5TR 是 OMNIFET III 全保護(hù)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,它是采用 VIPower? 技術(shù)制造的單片式器件,用于驅(qū)動(dòng)一側(cè)與電池相連的阻性或感性負(fù)載。內(nèi)置熱關(guān)斷功能可防止芯片過(guò)熱和短路。輸出電流限制可在過(guò)載情況下保護(hù)器件。在長(zhǎng)時(shí)間過(guò)載的情況下,設(shè)備會(huì)將耗散功率限制在安全水平,直至熱關(guān)斷干預(yù)。熱關(guān)斷和自動(dòng)重啟功能可使設(shè)備在故障條件消失后立即恢復(fù)正常運(yùn)行。關(guān)機(jī)時(shí)可實(shí)現(xiàn)電感負(fù)載的快速消磁。
VNL5030S5TR——產(chǎn)品屬性:
開(kāi)關(guān)類(lèi)型:通用
輸出數(shù):1
比率 - 輸入:輸出:1:1
輸出配置:低端
輸出類(lèi)型:N 通道
接口:開(kāi)/關(guān)
電壓 - 負(fù)載:36V(最大)
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):3.5V ~ 5.5V
電流 - 輸出(最大值):25A
導(dǎo)通電阻(典型值):30 毫歐(最大)
輸入類(lèi)型:非反相
特性:自動(dòng)重啟,狀態(tài)標(biāo)志
故障保護(hù):限流(固定),開(kāi)路負(fù)載檢測(cè),超溫,過(guò)壓
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
VNL5030S5TR——產(chǎn)品特性:
符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)
漏極電流:25 A
ESD 保護(hù)
過(guò)壓箝位
熱關(guān)斷
電流和功率限制
待機(jī)電流極低
極低的電磁敏感性
漏極開(kāi)路狀態(tài)輸出
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
WSON-6
3660
適用于窄脈沖應(yīng)用、具有 5V UVLO 的汽車(chē)類(lèi) 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32H7A3VGH6
STM32H7A3VGH6 是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款高性能微控制器,屬于 STM32H7 系列。VN7050ASTR
VN7050ASTR 采用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的VIPower M0-7技術(shù)制造,為單通道高側(cè)驅(qū)動(dòng)器,于SO-8封裝中。STD10NM60N
STD10NM60N器件采用第二代MDmesh技術(shù)開(kāi)發(fā)的N溝道功率MOSFET。L6599ADTR
L6599ADTR是前代L6599的改進(jìn)版本,專(zhuān)為串聯(lián)諧振半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)的雙端控制器。L6205D013TR
L6205D013TR是一款專(zhuān)為電機(jī)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)的DMOS雙全橋,采用MultiPower-BCD工藝實(shí)現(xiàn),將隔離式DMOS功率晶體管與CMOS及雙極性電路集成于同一芯片。LIS3DHTR
LIS3DHTR是一款超低功耗高性能三軸線性加速度計(jì),屬于“nano”系列產(chǎn)品,配備數(shù)字I2C/SPI串行接口標(biāo)準(zhǔn)輸出。電話咨詢:86-755-83294757
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