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參數(shù)描述
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操作
產(chǎn)品說明：IGBT 晶體管，8 秒短路容差，650V 15A
封裝：TO-263-3
產(chǎn)品說明：650V 40A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-263-3
產(chǎn)品說明：650V 40A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-263-3
產(chǎn)品說明：650V 30A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-263-3
產(chǎn)品說明：650V 25A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-263-3
產(chǎn)品說明：650V 20A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-263-3
產(chǎn)品說明：650V 20A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-3PFM
產(chǎn)品說明：內(nèi)置 SiC-SBD 的 650V 50A 混合型 IGBT 晶體管
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：650V 75A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM
封裝：TO-3PFM
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 26 A 59 W 通孔 TO-3PFM
封裝：TO-3PFM
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 600 V 48 A 111 W 通孔 TO-247G
封裝：TO-247G
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 50 A 174 W 通孔 TO-247G
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 切換式 12 輸出 降壓（6），線性（LDO）（6） 2MHz UQFN56BV7070
封裝：56-VFQFN電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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