APTM100DAM90G是Microchip推出的一款低損耗的功率模塊，它集成 MOSFET 和斬波二極管于一體，以低 RDS(on) 和低開關(guān)損耗的卓越性能，引領(lǐng)著電力電子領(lǐng)域的潮流。雪崩能量額定能力，使其無畏于高電壓和電流的挑戰(zhàn)，在惡劣環(huán)境中依然穩(wěn)定可靠。

性能特點(diǎn)

Power MOS 7? MOSFET

- 低 RDSon

- 低輸入和米勒電容

- 低門極電荷

- 沖擊能量額定

- 非常堅(jiān)固

Kelvin 源極，易于驅(qū)動(dòng)

非常低的雜散電感

- 對(duì)稱設(shè)計(jì)

- M5 電源連接器

高集成度

參數(shù)

配置：升壓斬波器

電壓：1000V

RDSon (mR) 典型值：90 mOhm

電流Tc=80°C：59A

硅類型：MOSFET

封裝：SP6C

APTM100DAM90G應(yīng)用范圍

適用于開關(guān)電源、工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，支持高頻操作。

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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