S29GL128S10DHB010是采用65納米工藝技術制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產品。該系列器件提供高達15納秒的快速頁面訪問時間,對應隨機訪問時間低至90納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想選擇,可滿足更高密度、更優(yōu)性能及更低功耗的需求。
S29GL128S10DHB010特性
? 3.0V CMOS核心架構,配備多功能I/O接口
? 65納米MIRRORBIT? Eclipse技術
? 單電源供電(VCC)支持讀/編程/擦除操作(2.7V至3.6V)
? 多功能I/O特性
- 寬I/O電壓范圍(VIO):1.65V至VCC
? ×16數據總線
? 異步32字節(jié)頁讀取
? 512字節(jié)編程緩沖區(qū)
- 支持頁倍數編程,最大512字節(jié)
? 單字節(jié)與同字節(jié)多字節(jié)編程選項
? 自動錯誤檢測與糾錯(ECC)——內置硬件ECC支持單比特錯誤糾正
? 扇區(qū)擦除
- 統(tǒng)一128千字節(jié)扇區(qū)
? 編程與擦除操作的暫停/恢復指令
? 通過狀態(tài)寄存器、數據輪詢及就緒/忙引腳判斷設備狀態(tài)
? 高級扇區(qū)保護(ASP)
- 每個扇區(qū)支持易失性與非易失性保護機制
? 獨立1024字節(jié)一次性編程(OTP)陣列,含兩個可鎖定區(qū)域
? 通用閃存接口(CFI)參數表
型號
品牌
封裝
數量
描述
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