【ISC078N12NM6】120V，OptiMOS ? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管，正常電平，采用 SuperSO8 封裝。

ISC078N12NM6 規(guī)格參數(shù)：

ID (@25°C) 最大值：85 A

IDpuls 最大值：340 A

QG (typ @10V)︰21 nC

RDS (on) (@10V) 最大值：7.8 mΩ

VDS 最大值：120 V

VGS(th)︰3.1 V

封裝：SuperSO8 5x6

工作溫度：-55 °C 至 175 °C

ISC078N12NM6 產(chǎn)品特性：

與 OptiMOS ?相比，該技術(shù)特點如下：

RDS(on) 提高高達 40%

FOMg

Qrr 提高高達 50%

極低的導(dǎo)通電阻

極低的反向恢復(fù)電荷

出色的柵極電荷 x RDS(on)

高雪崩能量額定值

175°C 結(jié)溫額定值

ISC078N12NM6 是 SuperSO8 封裝的普通級 120 V MOSFET，導(dǎo)通電阻為 7.8 mOhm。ISC078N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

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