ISC037N12NM6 是 SuperSO8 封裝的普通級 120 V MOSFET晶體管，導(dǎo)通電阻為 3.7 mOhm。ISC037N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

ISC037N12NM6 產(chǎn)品屬性：

系列：OptiMOS? 6

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：120 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19.2A（Ta），163A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.7 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 111μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：58 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：4300 pF @ 60 V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），214W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

ISC037N12NM6 產(chǎn)品特性：

特性：RDS(on) 提升 58%

FOMg 提升高達(dá) 66%

Qrr 提升高達(dá) 90%

FOMoss 提升高達(dá) 35%

極低的導(dǎo)通電阻

極低的反向恢復(fù)電荷

出色的柵極電荷 x RDS(on)

高雪崩能量額定值

175°C 結(jié)溫額定值

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