TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件，采用 TOLT封裝 （頂部散熱型表面貼裝），適用于需要高效熱管理和高可靠性的場(chǎng)景。其主要規(guī)格如下：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：29A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：85 毫歐 @ 18A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：638 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：96W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TOLT

此外，TP65H070G4RS結(jié)合 硅MOSFET 與 氮化鎵HEMT 技術(shù)，通過(guò)降低柵極電荷、輸出電容和交叉損耗提升效率。

應(yīng)用領(lǐng)域

TP65H070G4RS適用于數(shù)據(jù)通信、工業(yè)控制、光伏逆變器、計(jì)算等領(lǐng)域，尤其適合對(duì)熱管理要求嚴(yán)格的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。