WNSCM160120W 碳化硅MOSFET采用3引腳TO247 塑料封裝，專為高頻、高效率系統(tǒng)設(shè)計。

 WNSCM160120W 特點與優(yōu)勢

? 低導(dǎo)通電阻

? 高開關(guān)速度

? 0V關(guān)斷柵極電壓，簡化柵極驅(qū)動

? 100% UIS測試通過

? 易于并聯(lián)

? 可控的dV/dt，優(yōu)化電磁干擾（EMI）

? 降低散熱要求

? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

 WNSCM160120W 產(chǎn)品屬性

 FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：24A（Ta）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 196 毫歐 @ 10A，20V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.5V @ 3mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：35 nC @ 20 V  

Vgs（最大值）：+25V，-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：736 pF @ 1000 V  

功率耗散（最大值）：155W（Ta）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型：通孔 

 WNSCM160120W 應(yīng)用領(lǐng)域

? 開關(guān)模式電源

? 不間斷電源（UPS）

? 太陽能串式逆變器和太陽能優(yōu)化器

? 電動汽車充電器

? 電機驅(qū)動器

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