SCT3022ALHR N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFET溝槽柵極結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。

產(chǎn)品屬性

制造商： Rohm Semiconductor  

系列： Automotive, AEC-Q101  

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 93A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 28.6 毫歐 @ 36A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 18.2mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 133 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +22V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2208 pF @ 500 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 339W  

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： TO-247N  

封裝/外殼： TO-247-3  

基本產(chǎn)品編： SCT3022

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