集成電路芯片1200V 30A SCT3080KW7TL MOSFETs單晶體管

產(chǎn)品介紹

SCT3080KW7TL適用于開關(guān)電路、單體電池應用和移動應用。

產(chǎn)品屬性

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)量： 1個通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：1.2 kV

Id - 連續(xù)漏極電流：30 A

Rds On - 漏極-源極電阻：104 mOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 4 V，+ 22 V

Vgs th - 柵極源閾值電壓：5.6 V

Qg - 柵極電荷： 60 nC

最高工作溫度： + 175 C

Pd - 功率耗散： 159 W

通道模式： 增強型

下降時間：12 ns

正向電導率 - 最?。?span style="font-size: 16px; white-space: pre;"> 4.4 S

上升時間：13 ns

晶體管類型： 1個N-溝道

典型的關(guān)斷延遲時間: 20 ns

典型的開啟延遲時間：5 ns

單位重量：1.600 g

產(chǎn)品特點

碳化硅（SiC）技術(shù)

N溝道晶體管的極性

單通道

槽孔安裝

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