ADRF5545采用雙通道配置，包含級聯(lián)兩級低噪聲放大器 (LNA) 和高功率硅單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。

在高增益模式下，級聯(lián)兩級 LNA 和開關(guān)提供 1.45 dB 的低噪聲指數(shù) (NF) 和 32 dB 的高增益（頻率為 3.6 GHz）以及 32 dBm（典型值）的輸出 3 階交調(diào)點 (OIP3)。在低增益模式下，兩級 LNA 的一級處于旁路狀態(tài)，在 36 mA 的較低電流下提供 16 dB 的增益。在關(guān)斷模式下，LNA 將關(guān)閉，器件流耗為 12 mA。

在發(fā)射過程中，當 RF 輸入連接到端電極引腳（TERM-ChA 或 TERM-ChB）時，該開關(guān)提供 0.65 dB 的低插入損耗，并在整個生命周期內(nèi)處理 40 dBm 的長期演進 (LTE) 平均功率（9 dB 峰值/平均值比 (PAR)），而在單一事件（<10 秒）LNA 保護模式下為 43 dBm。

該器件采用符合 RoHS 標準的緊湊型 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝。

ADRF5545規(guī)格

射頻類型：通用  

頻率：2.4GHz ~ 4.2GHz  

特性： SPDT  

封裝/外殼：40-VFQFN 裸露焊盤，CSP  

供應(yīng)商器件封裝： 40-LFCSP-VQ（6x6）

應(yīng)用

無線基礎(chǔ)設(shè)施

TDD 大規(guī)模多輸入和多輸出以及有源天線系統(tǒng)

基于 TDD 的通信系統(tǒng)

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