GS-065-018-2-L-MR是一款增強(qiáng)型硅基 GaN 功率晶體管。采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管，可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的理想功耗。

GS-065-018-2-L-MR——表面貼裝型 N 通道 650 V 18A（Tc） 8-PDFN（8x8）

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： GaNFET（氮化鎵）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 18A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 110 毫歐 @ 5.5A，6V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 2.6V @ 4.8mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 4 nC @ 6 V  

Vgs（最大值）： +7V，-10V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 132 pF @ 400 V  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： 8-PDFN（8x8）  

封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤 

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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