H5WR64ESM4W-N6L

類型：DRAM

密度：16Gb

KGSD密度：64Gb

速度：3.2Gbps

封裝：4Hi

組織：x1024

電壓：1.2V

特點(diǎn)

? 使用硅通孔(TSV)的垂直堆疊DRAM芯片提供460GB/s帶寬的高帶寬內(nèi)存

? 針對深度學(xué)習(xí)加速器和人工智能系統(tǒng)優(yōu)化的優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案

概述：

SK hynix 的 1ynm 16Gb HBM2E 是業(yè)界最快的內(nèi)存，I/O 速度達(dá)到 3.6Gbps，每秒可使用 1,024 個(gè) I/O 處理 460GB 的數(shù)據(jù)。與之前的 HBM2 相比，新型 HBM2E 的散熱性能提高了 36%，是一款真正高效的內(nèi)存，可為您的系統(tǒng)提供強(qiáng)勁的性能。

散熱改進(jìn)

SK hynix的 HBM2E 比 HBM2 的散熱性能提高了 36%，在相同的工作條件下，平均散熱溫度降低了 14 攝氏度。

高達(dá) 9 倍的帶寬，2 倍于一代的容量提升

與 DDR5 的 2.4GB/s 帶寬和 GDDR6 的 64GB/s 帶寬相比，HBM2E 的性能最多可提高 9 倍，每秒可處理 460GB 的數(shù)據(jù)。與 HBM2 的 8GB 核心芯片密度相比，HBM2E 通過組合 8 個(gè) 16GB DRAM 芯片實(shí)現(xiàn)了 16GB 解決方案，密度比上一代 HBM2 提高了一倍。

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