GD950HTX75P6HFLB IGBT 功率模塊具有超低傳導損耗和短路耐用性。它們專為混合動力和電動汽車等應用而設計。

封裝：P6

額定電流：950A

芯片類型：Trench-FS Gen1

額定電壓：750V

電路結(jié)構(gòu)：Sixpack/六單元

特征：Pressfit,PINFIN基板

特性

? 低 VCE(sat) 溝槽式 IGBT 技術(shù)

? 低開關損耗

? 6μs 短路能力

? 具有正溫度系數(shù)的 VCE(sat)

? 最高結(jié)溫 175oC

? 低電感外殼

? 快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWD

? 采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式銅針腳基板

典型應用

? 汽車應用

? 混合動力和電動汽車

? 電機驅(qū)動用逆變器

等效電路原理圖

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