RV1S9353ACCSP-120C#SC0 - 光隔離三角積分調制器
RV1S9353ACCSP-120C#SC0 - 產品說明:
RV1S9353ACCSP-120C#SC0 是一款光隔離型Δ-Σ 調制器,內含高精度 A/D 轉換器,可將模擬電壓輸入轉換為一位數據流。RV1S9353A 采用 Sinc3 數字濾波器,有效位數 (ENOB) 為 13.8 位(典型值)。
RV1S9353ACCSP-120C#SC0 - 主要特性:
內部基準電壓容差(GE = ±0.5 % TYP.)
有效位數(ENOB = 13.8 位(標準值)
工作環(huán)境溫度(TA = -40 至 110 °C)RV1S9353ACCSP-120C#SC0
非線性度(INL = 25 LSB MAX.)
輸入失調電壓(VOS = 2 mV MAX.)
輸入失調電壓隨溫度的漂移(|dVos/dTA= 2.5 μV/°C MAX.)
輸出時鐘頻率(fCLK = 10 MHz TYP.)
高共模瞬態(tài)抗擾度(CMR = 15 kV/μs MIN.)
長爬電距離(最小 8 毫米)
RV1S9353ACCSP-120C#SC0 - 應用:
- 交流伺服、逆變器
- 太陽能逆變器
- 測量設備
型號
品牌
封裝
數量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置。…AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存,由Renesas生產,支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口,適用于工業(yè)、消費電子等領域。該器件具有以下特性:通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率(DTR)高達 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存,支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,適用于工業(yè)、消費類和聯網應用。其技術參數如下:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFN-8系列:AT25xF2561C存儲容量:256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設接口(SPI)NOR閃存器件設計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯網應用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲,和/或用于直接從閃存執(zhí)行(XiP)中執(zhí)行代碼。為了實現快速執(zhí)行,AT25QF2561C-SXUB支持高達13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設接口(SPI)閃存器件,用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內存,和/或直接從閃存執(zhí)行代碼(就地執(zhí)行(XiP))。 為了實現快速執(zhí)行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢:86-755-83294757
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