STGIPQ4C60T-HZ SLLIMM nano IGBT采用簡易堅固的設(shè)計，是一款緊湊的高性能交流電機驅(qū)動器。該IGBT由六個帶續(xù)流二極管的改進短路堅固型溝槽式柵極場終止型IGBT和三個用于柵極驅(qū)動的半橋HVIC組成。它具有低電磁干擾 (EMI) 特性和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。
該IPM包括一個完全中性的運算放大器和一個比較器，可用于設(shè)計快速高效的保護電路。
STGIPQ4C60T-HZ的規(guī)格：
類型：IGBT
配置：三相反相器
電流：6 A
電壓：600 V
電壓 - 隔離：1500Vrms
安裝類型：通孔
封裝/外殼：26-PowerDIP 模塊（0.846"，21.48mm）
基本產(chǎn)品編號：STGIPQ4
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
STM32H7A3VGH6
STM32H7A3VGH6 是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款高性能微控制器，屬于 STM32H7 系列。
VN7050ASTR
VN7050ASTR 采用意法半導(dǎo)體專有的VIPower M0-7技術(shù)制造，為單通道高側(cè)驅(qū)動器，于SO-8封裝中。
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STD10NM60N器件采用第二代MDmesh技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。
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L6599ADTR是前代L6599的改進版本，專為串聯(lián)諧振半橋拓?fù)湓O(shè)計的雙端控制器。
L6205D013TR
L6205D013TR是一款專為電機控制應(yīng)用設(shè)計的DMOS雙全橋，采用MultiPower-BCD工藝實現(xiàn)，將隔離式DMOS功率晶體管與CMOS及雙極性電路集成于同一芯片。
LIS3DHTR
LIS3DHTR是一款超低功耗高性能三軸線性加速度計，屬于“nano”系列產(chǎn)品，配備數(shù)字I2C/SPI串行接口標(biāo)準(zhǔn)輸出。電話咨詢：86-755-83294757
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