DMWSH120H28SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET設計用于最大限度地降低導通電阻并保持出色的開關性能。該MOSFET具有低輸入電容，非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機驅(qū)動器。

DMWSH120H28SM4Q的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiC

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：28.5 毫歐 @ 50A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3，6V @ 17，7mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：156.3 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-8V

功率耗散（最大值）：429W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

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