C3M0040120D是一款基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 40 mΩ, 66 A碳化硅功率MOSFET，提高了CGS/CGD比，可實(shí)現(xiàn)更好的硬開關(guān)性能。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。

C3M0040120D的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：12 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：21 S

Id-連續(xù)漏極電流：66 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 40°C

安裝風(fēng)格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-3

封裝：Tube

Pd-功率耗散：326 W

產(chǎn)品：MOSFETs

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：101 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：40 mOhms

上升時(shí)間：60 ns

工廠包裝數(shù)量：30

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：25 ns

典型接通延遲時(shí)間：15 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 4 V, + 15 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3.6 V

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