W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM，適合支持edge AI的設備。

說明：

LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM，與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣，LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數據。然而，它在不改變時鐘頻率的情況下實現了更大的帶寬，同時比老一代LPDDR單元使用更少的功率。

W66BP2NQUAFJ的規(guī)格：

存儲器類型：易失

存儲器格式：DRAM

技術：SDRAM - Mobile LPDDR4

存儲容量：2Gb

存儲器組織：64M x 32

存儲器接口：LVSTL_11

時鐘頻率：1.6 GHz

寫周期時間 - 字，頁：18ns

訪問時間：3.6 ns

電壓 - 供電：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V

工作溫度：-40°C ~ 105°C（TC）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：200-TFBGA

供應商器件封裝：200-TFBGA（10x14.5）

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。

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