商品名稱：碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌：Wolfspeed
年份：24+
封裝：TO-263-7
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
C3M0060065J 是 N 溝道增強型 650V SiC MOSFET 晶體管，可在更廣泛的電源系統(tǒng)中實現(xiàn)更小、更輕和更高效的功率轉換。
特點
低導通電阻
低寄生電容
超低反向恢復的快速二極管
高溫工作（TJ = 175°C）
開爾文源引腳
行業(yè)標準通孔和 SMT 封裝
外形小巧
低引線電感
低熱阻抗
優(yōu)點
降低開關和傳導損耗，提高系統(tǒng)效率
實現(xiàn)高開關頻率操作
提高系統(tǒng)級功率密度
減小系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求
支持新的硬開關拓撲結構（圖騰極 PFC）
應用
工業(yè)電源
服務器/電信
電動汽車充電系統(tǒng)
儲能系統(tǒng) (ESS)
不間斷電源 (UPS)
電池管理系統(tǒng) (BMS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
ECB4R3M12YM3
ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模塊 ，屬于YM系列六單元模塊。該模塊采用行業(yè)標準封裝技術，優(yōu)化電源端子布局，可降低電感并減少過沖電壓，同時具備低開關損耗特性。核心參數(shù)技術：碳化硅（SiC）配置：6 N 溝道（三相逆變器）FET 功能：-漏源電壓（…
ECB2R8M12YM3
ECB2R8M12YM3是 Wolfspeed 公司推出的碳化硅功率模塊，屬于YM系列六包三相模塊，額定電壓為1200V，額定電流460A，導通電阻2.8mΩ，采用 Gen 3 工藝，最高結溫可達175C。該模塊尺寸為154.5126.532mm，適用于汽車電子領域。主要規(guī)格產(chǎn)品：ECB2R8M12YM3技術：碳化硅（SiC）配…
ECB2R1M12YM3
ECB2R1M12YM3是 Wolfspeed 推出的 碳化硅功率模塊 ，屬于六單元模塊 （YM系列），適用于汽車電子領域。以下是其核心參數(shù)：技術：碳化硅（SiC）配置：6 N 溝道（三相逆變器）FET 功能：-漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：700A不同 Id、Vgs 時…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻塞電壓，低導通電阻高速開關，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關損耗，最大限度地減少柵極振鈴…電話咨詢：86-755-83294757
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