C3M0045065L SiC MOSFET C3M?（采用TOLL封裝）與標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET相比，導(dǎo)通電阻溫度相關(guān)性要低得多。該MOSFET器件具有出色的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗，這對(duì)于下一代電源在高功率下實(shí)現(xiàn)高效率至關(guān)重要。

特點(diǎn)

? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)

? 優(yōu)化封裝，具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳

? 高阻塞電壓，低導(dǎo)通電阻

?  高速開(kāi)關(guān)，低電容

? 快速本征二極管，反向恢復(fù) (Qrr) 低

? 無(wú)鹵素，符合 RoHS 規(guī)范

規(guī)格

制造商： Wolfspeed, Inc.  

系列： C3M?  

FET 類(lèi)型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：49A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 60 毫歐 @ 17.6A，15V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 3.6V @ 4.84mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 59 nC @ 15 V  

Vgs（最大值）： +19V，-8V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1621 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值）： 164W（Tc）  

工作溫度： -40°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類(lèi)型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： TOLL  

應(yīng)用

? 數(shù)據(jù)中心電源

? 電信電源

? 儲(chǔ)能系統(tǒng)

? 太陽(yáng)能（光伏）逆變器

? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。