商品名稱：NVH4L080N120SC1
數(shù)據(jù)手冊：
NVH4L080N120SC1.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：TO-247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：8500 件
NVH4L080N120SC1低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此，系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括最高的效率、更快的操作頻率、增加的功率密度、減少的EMI和減小的系統(tǒng)尺寸。
產(chǎn)品屬性
FET型 N溝道
技術(shù) SiCFET（碳化硅）
漏極-源極電壓（Vdss）1200 V
電流-25°C時的連續(xù)漏極（Id）29A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）20V
功耗（最大）170mW（Tc）
工作溫度-55°C~175°C（TJ）
安裝類型 通孔
包裝/箱 TO-247-4
特征
1200伏@TJ=175°C
100%雪崩測試
低電容高速開關(guān)
VGS=20 V，ID=20 A時，最大RDS（開啟）=110 m
AEC?Q101合格且具備PPAP能力
集成電路芯片NVH4L080N120SC1 1200V N溝道MOSFET晶體管TO-247-4
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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