商品名稱：IXYK120N120C3
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：TO-264-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IXYK120N120C3 器件采用最先進的genx 3 IGBT工藝和極輕穿通（XPT）設計平臺制造，具有高電流處理能力、高速開關(guān)能力、低總能量損耗和低電流下降時間等特性。該IGBT具有正的集電極-發(fā)射極電壓溫度系數(shù)，使得設計人員可以并聯(lián)使用多個器件來滿足高電流要求。
規(guī)格
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：240 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：700 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，120A
功率 - 最大值：1500 W
開關(guān)能量：6.75mJ（開），5.1mJ（關(guān)）
輸入類型：標準
柵極電荷：412 nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：35ns/176ns
測試條件：600V，100A，1 歐姆，15V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
供應商器件封裝：TO-264（IXYK）
基本產(chǎn)品編號：IXYK120
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率，涵蓋了…
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅(qū)動電壓(最大導通電阻, 最小導通電阻)：10V導通電阻(最大) @ Id, Vgs：15mΩ @ 75A, 10V閾值…
IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅(qū)動電壓(最大導通電阻，最小導通電阻)：10V導通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…
IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強型功率 MOSFET，屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。
IXYP50N65C3
IXYP50N65C3：650V，用于 20-60kHz 開關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管，TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù)：產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …
IXYH80N90C3
IXYH80N90C3：900V，165A，用于 20-50 kHz 開關(guān)的高速 IGBT晶體管，TO-247-3產(chǎn)品詳情：型號：IXYH80N90C3封裝：TO-247-3類型：IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產(chǎn)品屬性：系列：GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：165 A電流 - 集電…
IXTA26P20P
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造，P 溝道增強型功率 MOSFET，TO-263（DPak-3L）表面貼裝封裝電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
