IXGA30N120B3絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品采用IXYS最先進(jìn)的GenX3 IGBT工藝制造，并利用其先進(jìn)的穿通（PT）技術(shù)提供更低的飽和電壓、更低的開關(guān)損耗和更高的浪涌電流能力。
規(guī)格
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：3.5V @ 15V，30A
功率 - 最大值：300 W
開關(guān)能量：3.47mJ（開），2.16mJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：87 nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：16ns/127ns
測試條件：960V，30A，5 歐姆，15V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：TO-263AA
基本產(chǎn)品編號：IXGA30
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率，涵蓋了…
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅(qū)動電壓(最大導(dǎo)通電阻, 最小導(dǎo)通電阻)：10V導(dǎo)通電阻(最大) @ Id, Vgs：15mΩ @ 75A, 10V閾值…
IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅(qū)動電壓(最大導(dǎo)通電阻，最小導(dǎo)通電阻)：10V導(dǎo)通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…
IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強型功率 MOSFET，屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。
IXYP50N65C3
IXYP50N65C3：650V，用于 20-60kHz 開關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管，TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù)：產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風(fēng)格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …
IXYH80N90C3
IXYH80N90C3：900V，165A，用于 20-50 kHz 開關(guān)的高速 IGBT晶體管，TO-247-3產(chǎn)品詳情：型號：IXYH80N90C3封裝：TO-247-3類型：IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產(chǎn)品屬性：系列：GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：165 A電流 - 集電…
IXTA26P20P
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造，P 溝道增強型功率 MOSFET，TO-263（DPak-3L）表面貼裝封裝電話咨詢：86-755-83294757
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