商品名稱：IXYP30N120A4
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：TO-220-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IXYP30N120A4 是超低 Vsat PT IGBT 晶體管，開關(guān)頻率高達(dá) 5kHz。
特性
針對(duì)低傳導(dǎo)損耗進(jìn)行了優(yōu)化
正 Vce（飽和）熱系數(shù)
國際標(biāo)準(zhǔn)封裝
優(yōu)勢(shì)
高功率密度
柵極驅(qū)動(dòng)要求低
應(yīng)用范圍
電源逆變器
不間斷電源
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
SMPS
電池充電器
電焊機(jī)
燈鎮(zhèn)流器
浪涌電流保護(hù)電路
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率，涵蓋了…
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻, 最小導(dǎo)通電阻)：10V導(dǎo)通電阻(最大) @ Id, Vgs：15mΩ @ 75A, 10V閾值…
IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻，最小導(dǎo)通電阻)：10V導(dǎo)通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…
IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。
IXYP50N65C3
IXYP50N65C3：650V，用于 20-60kHz 開關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管，TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù)：產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風(fēng)格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …
IXYH80N90C3
IXYH80N90C3：900V，165A，用于 20-50 kHz 開關(guān)的高速 IGBT晶體管，TO-247-3產(chǎn)品詳情：型號(hào)：IXYH80N90C3封裝：TO-247-3類型：IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產(chǎn)品屬性：系列：GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：165 A電流 - 集電…
IXTA26P20P
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造，P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，TO-263（DPak-3L）表面貼裝封裝電話咨詢：86-755-83294757
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