CY7C1312KV18-300BZXC QDR-II DDR-II 同步 SRAM 的最高速度為 333MHz，密度高達(dá) 144Mb，讀取延遲為 1.5 或 2.5 個(gè)周期，突發(fā)長度為 2 或 4，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 165 球 FBGA 封裝. QDR-II 系列還包括雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR-II) 器件。 DDR-II 器件與 QDR-II 器件類似，不同之處在于所有 DDR 器件的突發(fā)長度為 2 和單一數(shù)據(jù)速率地址總線。 此外，DDR-II 可用于 SIO（獨(dú)立 I/O）或 CIO（通用 I/O）選項(xiàng)。 SIO 設(shè)備提供獨(dú)立的讀寫端口，消除了 CIO 設(shè)備中的數(shù)據(jù)總線“周轉(zhuǎn)”時(shí)間。 CIO 設(shè)備為讀取和寫入提供單個(gè)端口，從而減少了所需的數(shù)據(jù)引腳連接數(shù)。

規(guī)格參數(shù)

存儲器類型 易失  

存儲器格式 SRAM  

技術(shù) SRAM - 同步，QDR II  

存儲容量 18Mb（1M x 18）  

存儲器接口 并聯(lián)  

時(shí)鐘頻率 300 MHz  

寫周期時(shí)間 - 字，頁 -  

電壓 - 供電 1.7V ~ 1.9V  

工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 165-LBGA  

供應(yīng)商器件封裝 165-FBGA（13x15）  

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