NTLJS17D0P03P8ZTAG P溝道MOSFET是-30V、11.3mΩ單P溝道功率MOSFET，具有低RDS(on) 值和低電容，可最大限度地降低導(dǎo)通和驅(qū)動器損耗。該MOSFET具有2mm × 2mm的小尺寸，設(shè)計(jì)緊湊。典型應(yīng)用包括電池管理、保護(hù)和電力負(fù)荷開關(guān)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：11.3 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：38 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：860mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）

封裝/外殼：6-PowerWDFN

基本產(chǎn)品編號：NTLJS17

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