IRFB4019PBF 功率 MOSFET 系列針對低 RDS（導(dǎo)通）和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅固性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合可滿足包括直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和直流-直流轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的廣泛應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：95 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 50μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：80W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB

封裝/外殼：TO-220-3

應(yīng)用

● LEV

● 叉車

● 電動工具和園藝工具

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