PM75RG1B065 650V、75A G1系列模塊具有第7代IGBT，具有許多內(nèi)置功能，有助于逆變器增強節(jié)能效果。G1系列采用樹脂絕緣金屬基板封裝，省去了焊接部分。這種封裝設(shè)計增加了熱循環(huán)壽命，并提高了逆變器的可靠性。G1系列具有自動切換速度控制和錯誤檢測功能，可減少逆變器損耗和設(shè)計時間。

規(guī)格：

產(chǎn)品種類 ：IGBT 模塊

RoHS ： 詳細信息

產(chǎn)品 ：IGBT 硅模塊

配置 ：7單元

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO ：650 V

集電極—射極飽和電壓 ：1.25 V

在25 C的連續(xù)集電極電流 ：75 A

柵極—射極漏泄電流 ：-

Pd-功率耗散 ：297 W

最小工作溫度 ：- 20°C

最大工作溫度 ：+ 125°C

商標 ：Mitsubishi Electric

安裝風格 ：螺絲底座

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