PMZ290UNE2 N溝道MOSFET是一款增強模式場效應(yīng)晶體管 (FET)，具有低閾值電壓和快速開關(guān)功能。這些MOSFET有兩種型號，分別為2kV HBM和大于2kV HBM靜電放電保護這兩種型號。PMZ290UNE2 MOSFET采用1.0mm × 0.6mm x 0.48mm無引線小型DFN1006-3 (SOT883) SMD塑料封裝，并采用溝槽式MOSFET技術(shù)。應(yīng)用包括繼電器驅(qū)動器、高速線路驅(qū)動器、低側(cè)負載開關(guān)和開關(guān)電路。

產(chǎn)品屬性

制造商: Nexperia

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DFN-1006-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 1.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 320 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 450 mV

Qg-柵極電荷: 800 pC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 715 mW

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 10 ns

工廠包裝數(shù)量: 10000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 11 ns

典型接通延遲時間: 6 ns

單位重量: 0.800 mg

應(yīng)用

繼電器驅(qū)動器

高速線路驅(qū)動器

低壓側(cè)負載開關(guān)

開關(guān)電路

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