商品名稱：GS66506T-MR
數(shù)據(jù)手冊：
GS66506T-MR.pdf
品牌：GaN Systems
年份：23+
封裝：GaNPX
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
GS66506T-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GS66506T-MR是頂部冷卻型晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的大功率應用。
特性
650 V 增強型功率晶體管
頂部冷卻配置
RDS(on) = 67 mΩ
IDS(max) = 22.5 A
超低 FOM Island Technology? 芯片
低電感 GaNPX? 封裝
簡單的柵極驅動要求（0 V 至 6 V）
瞬態(tài)容差柵極驅動（-20 / +10 V）
開關頻率極高（> 10 MHz）
快速可控的下降和上升時間
反向電流能力
零反向恢復損耗
5.6 x 4.5 mm2 PCB 基底面小
雙柵極焊盤，可優(yōu)化電路板布局
符合 RoHS 3 (6+4) 標準
應用
AC-DC 轉換器
直流-直流轉換器
不間斷電源
工業(yè)電機驅動器
家電電機驅動器
快速電池充電
D 類音頻放大器
無線電力傳輸
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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作為全球氮化鎵功率半導體領導廠商，GaN Systems致力為全球客戶提供業(yè)界最完整且高可靠的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品組合，在電動車、數(shù)據(jù)中心、再生能源、工業(yè)及消費電子等產(chǎn)業(yè)，驅動更高效率、高功率密度且更經(jīng)濟永續(xù)的電源解決方案。GaN Systems提供產(chǎn)品級和系統(tǒng)級一站式解決…
GS-065-060-5-B-A-TR
GS-065-060-5-B-A-TR是一款汽車級 650 V E 模式硅基氮化鎵功率晶體管。GS-065-060-5-B-A-TR是底部冷卻型晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的高功率應用。功能AEC-Q101 和 AutoQual+?（增強型 AEC-Q101） 650 V 增強型功率晶體管底部冷卻、低電感 GaNPX 封裝RD…
GS-065-008-1-L-TR
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GS66516T-MR
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GS-065-008-1-L-MR
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