安森美半導(dǎo)體的 FGA40N65SMD新型場截止第 2 代 IGBT 采用新型場截止 IGBT 技術(shù)，為太陽能逆變器、UPS、焊接機、電感加熱、電信、ESS 和 PFC 等低導(dǎo)通和開關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用。

屬性

IGBT 類型： 場截止  

電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）： 80 A  

電流 - 集電極脈沖 (Icm) ：120 A  

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值） ：2.5V @ 15V，40A

功率 - 最大值： 349 W  

開關(guān)能量： 820μJ（開），260μJ（關(guān)）

輸入類型： 標(biāo)準(zhǔn)  

柵極電荷： 119 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值： 12ns/92ns

測試條件： 400V，40A，6 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間 (trr) ：42 ns

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型： 通孔  

封裝/外殼： TO-3P-3，SC-65-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-3PN

基本產(chǎn)品編號：FGA40N65

應(yīng)用

? 發(fā)電和配電

? 不間斷電源

? 其他工業(yè)

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