RGS80TS65DHRC11 650V 汽車用場(chǎng)截止溝槽式IGBT具有比同類領(lǐng)先的低導(dǎo)通損耗，從而減小了尺寸，并提高了應(yīng)用效率。RGS IGBT采用原始溝槽柵極和薄晶圓技術(shù)，有助于實(shí)現(xiàn)低集電極-發(fā)射極飽和電壓 (VCE(sat))，同時(shí)降低開關(guān)損耗。

規(guī)格

IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：73 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：120 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A

功率 - 最大值：272 W

開關(guān)能量：1.05mJ（開），1.03mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：48 nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：37ns/112ns

測(cè)試條件：400V，40A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：103 ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-247N

基本產(chǎn)品編號(hào)：RGS80

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