RGW80TS65EHRC11 650V、80A 場終止溝槽型IGBT采用小型封裝，具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓。該IGBT具有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗和內(nèi)置極快軟恢復(fù)FRD，因此非常適合用于太陽能逆變器、UPS、焊接、IH和PFC應(yīng)用。

規(guī)格

GBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，40A

功率 - 最大值：214 W

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：110 nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：43ns/148ns

測試條件：400V，20A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：86 ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-247N

基本產(chǎn)品編號：RGW80

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