PSMN9R3-60HSX N溝道MOSFET是一款雙標(biāo)準(zhǔn)電平N溝道MOSFET，采用LFPAK56D（雙電源SO8）封裝。Nexperia MOSFET采用 TrenchMOS技術(shù)。該器件達(dá)到重復(fù)雪崩等級(jí)，可耐受175°C溫度。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 N-通道（雙）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：9.3 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：34.2nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2348pF @ 25V

功率 - 最大值：68W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56D

應(yīng)用

● 無刷直流電機(jī)控制

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 高性能同步整流

● 高性能、高效率服務(wù)器電源

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