MICROFJ-30035-TSV-TR 是采用 TSV 封裝的硅光電倍增管 (SiPM)、高 PDE 和定時分辨率傳感器。J 系列低照度傳感器采用高容量、P-on-N 硅代工工藝，具有高 PDE（光子檢測效率）的特點。

產(chǎn)品屬性

波長：420nm

頻譜范圍：200nm ~ 900nm

二極管類型：雪崩

響應時間： 110ps

電壓 - 直流反向 (Vr)（最大值）： 24.7 V

電流 - 暗（典型值）： 1.9μA

有效面積：9.43mm2

工作溫度：-40°C ~ 85°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-WBGA

產(chǎn)品特性

高密度微電池

快速輸出端子

溫度穩(wěn)定性為 21.5mV/°C

±250mV 擊穿電壓一致性 

采用與回流焊兼容的 TSV 芯片級封裝

典型值為 50kHz/mm2 的超低暗計數(shù)率

針對 ToF-PET 等高性能定時應用進行了優(yōu)化

傳感器尺寸為 3 毫米、4 毫米和 6 毫米

<30V 偏置電壓

在 420nm 波長處具有 50% 的光子檢測效率 (PDE)

改進的信號上升時間和微電池恢復時間

無需主動電壓控制

高均勻性

TSV 封裝幾乎無死角，可創(chuàng)建高填充因子陣列，且不含鐵金屬

應用

醫(yī)療成像

危險和威脅

3D 測距和傳感

生物光子學和科學

高能物理

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