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參數(shù)描述
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操作
產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 750 V 51A（Tc） TO-263-7LA
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說明：600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝：HSDIP-25
產(chǎn)品說明：600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝：HSDIP-25
產(chǎn)品說明：600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝：HSDIP-25
產(chǎn)品說明：600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝：HSDIP-25
產(chǎn)品說明：搭載600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝：HSDIP-25
產(chǎn)品說明：搭載600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝：HSDIP-25
產(chǎn)品說明：Nano Cap?，EcoGaN?，650V 150mΩ 2MHz，GaN HEMT 功率級(jí) IC
封裝：VQFN-46
產(chǎn)品說明：1200V N通道 4引腳封裝 SiC（碳化硅）MOSFET
封裝：TO-247-4L
產(chǎn)品說明：1200V, 55A, 4引腳THD, 溝槽結(jié)構(gòu) 車載SiC-MOSFET
封裝：TO-247-4L
產(chǎn)品說明：650V, 70A, 4引腳THD, 溝槽結(jié)構(gòu) 車載SiC-MOSFET
封裝：TO-247-4L
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 132 A 348 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 96 A 254 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 45 A 94 W 通孔 TO-3PFM
封裝：TO-3PFM電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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